Berita

Dalam sektor pembuatan cip semikonduktor, wafer dicing adalah proses kritikal yang memisahkan banyak cip pada wafer ke dalam unit individu. Dengan kemajuan teknologi semikonduktor yang berterusan, teknik-teknik dicing wafer 6-inci juga telah berkembang untuk memenuhi tuntutan pasaran yang semakin meningkat dan cabaran teknikal.

 

 

Cabaran Menghadapi Teknologi Dicing Tradisional:

Kaedah Dicing Mekanikal Konvensional, seperti yang menggunakan bilah bersalut berlian, mempamerkan batasan-batasan tertentu dalam dicing wafer 6 inci. Oleh kerana saiz wafer 6 inci yang lebih besar, memakai bilah mempercepatkan semasa dicing, kelajuan pemotongan lebih perlahan, dan tepi cip terdedah kepada kerepek dan penyingkiran. Isu -isu ini amat penting untuk bahan yang lebih keras, seperti wafer silikon karbida (sic).

 

Kemunculan Teknologi Dicing Laser:

Untuk menangani kelemahan kaedah tradisional, laser dicing secara beransur-ansur menjadi penyelesaian utama untuk dicing wafer 6 inci.

Ablation Laser: Teknik ini menggunakan rasuk laser yang difokuskan untuk menguap bahan dan membentuk alur dicing, tetapi ia boleh menghasilkan zon yang dilindungi haba yang lebih besar (HAZ), mikrokrek, dan kerosakan yang berpotensi pada pita biru wafer.

 

Dicing laser yang dipandu air-jet: Dengan mengarahkan tenaga laser melalui aliran air, kaedah ini membolehkan pemotongan yang tepat sambil menyejukkan kawasan dicing dengan berkesan, mengurangkan ubah bentuk dan kerosakan haba, dan meningkatkan kelajuan pemotongan.

 

 

Stealth Dicing (SD): Teknologi ini membentuk lapisan yang diubahsuai di dalam wafer melalui penyinaran laser, membolehkan pemisahan ketepatan tinggi tanpa permukaan. Ia secara signifikan meningkatkan hasil dan prestasi cip.

 

Pemisahan laser haba (TLS): memanfaatkan tekanan haba yang disebabkan oleh laser dan penyejukan pesat, TLS memacu pemisahan wafer bersih dengan kelebihan seperti kelajuan tinggi dan jalan-jalan Dicing yang sempit.